氧化镓Ga2 O3是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，以β-Ga2 O3 单晶为基础材料的功率器件具有更高的击穿电压与更低的导通电阻，从而拥有更低的导通损耗和更高的功率转换效率。 铭镓半导体专注于氧化镓相关的晶体生长与加工技术、外延薄膜生长技术、器件设计与制备技术以及掺杂物调控技术等方面的研发。与此同时，铭镓半导体拥有自主知识产权的核心专利，填补了国内相关领域的技术空白。

铭镓半导体成立于2020年11月。公司致力于高频、高功率器件的设计研发及产业化，是国内新型超宽禁半导体材料以及人工晶体半导体材料产业化先行者之一。 公司占地近40000平米，现有员工超100人。总部位于北京，并于河南安阳和广东深圳设立全资子公司，分别为材料量产中心和芯片设计研发中心。公司采用自主研发和国际先进材料生长工艺，构建了满足氧化镓单晶及外延片生长、掺杂光学晶体生长、高频磷化铟多晶材料生长、晶体加工、芯片器件系统制作及检测等技术开发和成品化规模生产的研发生产基地。目前，铭镓半导体与下游数十家企业和科研院所达成合作，主要应用与光电通讯、固态能源逆变、激光雷达、光学窗口及智能穿戴等多个领域。